单晶硅激光精密切割 定制加工

单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。
直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。
但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。
单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。
直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。
直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
晶体直径可控制在Φ3~8英寸。
区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。
晶体直径可控制在Φ3~6英寸。
外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用广。
在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。
存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。
逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性

激光加工的特点：

1. 激光切割的切缝窄，工件变形小

2. 激光切割是一种高能量、密度可控性好的无接触加工

3. 激光切割具有广泛的适应性和灵活性

公司激光加工设备针对各种材质：金属及合金、半导体、陶瓷、各种透明材质、薄膜和聚合物等各种材料。
且已成功完成1000多个基于以上材料的各种激光微加工试验和方案。

公司所涉及的激光业务范畴包括前期的方案可行性研究和新制程开发服务、中期小规模试产和论证、后期的规模化量产业务外包等。
立志于成为国内激光精密微加工和微制造的领跑者，为客户提供定制化、低成本和完善的高端激光加工解决方案。

梁经理